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美成功开发硅锗半导体材料制成的纳米线

原创|其它|编辑：郝浩|2009-12-16 11:03:26.000|阅读 683 次

概述：来自美国加州大学亨利·萨缪理工程和应用科学分院，美国普渡大学和IBM公司的研究人员最近成功开发出了一种采用硅锗半导体材料制成的纳米线，采用这种技术，科学家们可以开发出尺寸更小的微电子设备。这种硅锗材料纳米线的直径可控制在数十至数百纳米之间，长度则可达数微米。研究者可以以这种技术为基础，研发出更高性能的高速电子设备。

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来自美国加州大学亨利·萨缪理工程和应用科学分院，美国普渡大学和IBM公司的研究人员最近成功开发出了一种采用硅锗半导体材料制成的纳米线，采用这种技术，科学家们可以开发出尺寸更小的微电子设备。这种硅锗材料纳米线的直径可控制在数十至数百纳米之间，长度则可达数微米。研究者可以以这种技术为基础，研发出更高性能的高速电子设备。

该技术的研发团队展示了几种原子级尺寸的，采用不同的硅锗材料制成的分层结构纳米线，这种纳米线可以有效地传输电荷。研发人员展示的这种纳米线其接口尺寸可以做到仅有一个原子大小，而过去，阻碍人们制作超小尺寸纳米线的障碍主要是有关技术的解像度不足。

美国加州大学的教授，该技术的研发者之一Suneel Kodambaka表示，硅锗半导体材料纳米线技术不仅可被用于半导体应用，而且在汽车，热电领域也有较为广阔的发展前景。

研发人员表示，研发小组的下一步工作计划是采用类似的技术制造出尺寸更大一点的纳米线，以便将这种纳米线与常规的纳米线的电性能进行比对。

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